三星量产eMRAM存储器:比eFlash快1000倍,功耗更低

2019-3-7 10:46  |  作者:唐裕之   |  关键字:三星,eMRAM,NAND

三星存储最近动作?#27426;稀?#22312;MWC 2019展会期间宣布量产容量高达512GB的eUFS 3.0存储芯片。而在昨天?#20013;?#24067;量产首款商用eMRAM存储芯片,将为存储芯片市场带来新的活力。

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三星在昨日宣布正式量产首款商用的eMRAM(嵌入式磁随机存取存储器),采用三星的28FDS(28nm FD-SOI,耗尽型绝缘层上硅)工艺制造。作为常用的eFlash闪存技术的发展到了瓶颈期,这种基于电荷存储方式的存储器已经面临了很多挑战。而eMRAM作为基于电阻的存储方式在?#19988;资?#24615;,随机访?#23454;?#26041;面拥有比eFlash更好的表现。

eMRAM利用磁致电阻的变化表示二进制0或1,通过测量一个存储单元的电阻来实现读取操作。这?#20013;?#29255;拥有SRAM的高速读取能力和DRAM的高集成度。同时由于其特殊的存储方式,所以也拥有非常高的P/E次数。可谓未来最好的存储芯片选择。三星宣称他们基于28FDS工艺的eMRAM技术能提供更低的成本和功耗,在写入速度上也更具优势。其物理特性决定在写入数据前不需要擦除周期,写入速度比现在的eFlash快1000倍。eMRAM在工作时电压比eFlash更低,所以功耗更低。


三星展示eMRAM结构


工作原理

三星能将eMRAM的成本控?#39057;?#36739;低的原因是这次他们可以轻松地与?#38047;新?#36753;芯片制造工艺进?#23633;?#25104;,仅需要在流程工艺后端添?#30001;?#37327;的几个层即可完成制造。通过这种模块化的设计既可以享受现有制造工艺带来的低成本优势,又可以享受到新技术带来的性能提升。

三星宣布将在今年扩大其高密度?#19988;资?#24615;存储器解决方案的选择范围,包括在今年推出1Gb的eMRAM的测试芯片。而在此之前,Intel也在不?#20204;?#23459;布他?#19988;?#24050;做好eMRAM芯片的大批量生产的准备。随着存储器大厂逐渐开始量产eMRAM芯片,不久后我们将能够用上这种低功耗高性能的存储芯片。

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  • 游客  03-07 17:23

    1000倍,这速度都TB?#35835;恕?#25105;能问句内存的速度跟上了吗?TB级的速度都是L1才能做到啊 ...

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    9#

  • cnbeta博士 03-07 16:39

    Intel:1000倍性能,1000倍密度,1000倍寿命

    三星:学到了,我也先吹了牛逼先

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    8#

  • 游客  03-07 16:38

    ¥1元/TB,先做到再说。

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    7#

  • QQ23870862终极?#27604;?#29579; 03-07 16:15

    三星技术怎么这?#30913;#?/h3>

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    6#

  • 游客  03-07 16:06

    瞎吹,这?#30913;?#36924;做不出来1000x敢接受群操不?

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    5#

  • 游客  03-07 12:32

    这么喜欢学英特尔的1000倍?傲腾两个1000倍、一个10倍什么时候实现?

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    4#

  • horeaper大学生 03-07 12:14

    厚,MRAM已经量产了??

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    3#

  • JaxonLau一代宗师 03-07 11:27

    会用在手机和SSD?#19979;穡?/h3>

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    2#

  • 游客  03-07 11:21

    我有话要说...

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    1#

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